Учебная стенд для исследования биполярных структур1 239 797₸
Доступно для предзаказа
1 239 797₸
Доступно для предзаказа
- Измерение ВАХ p–n-перехода и сравнение её с идеальной характеристикой.
- Исследование прямой ветви ВАХ различных схем диодного включения транзистора при различных температурах.
- Измерение обратной ветви ВАХ электронно-дырочного перехода при различных температурах. Исследование явления пробоя.
- Измерение входных характеристик транзистора при различных напряжениях на коллекторе и различных температурах.
- Исследование семейства выходных характеристик транзистора при различных температурах.
- Передаточные характеристики и характеристики обратной связи биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.